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晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈５０￣１００ｎｍ　的距离内，称为耗尽层。这样， 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在，使得　 ＺｎＯ　 压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面，压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说，由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽，当施加外电压时，跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势，一般是≈２￣４Ｖ／（每晶粒边界）。

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压敏电阻直流作用下的老化机理

直流作用下。反偏压侧的Zni向晶界迁移，中和了部分VZn，使表面受主态密度下降，势垒降低，阻性电流增大。直流电压作用下的老化不对称，是因为测试电压极性如与老化时加的电压一致，电压主要加在正极性侧的耗尽层上，而这一侧可迁移的填隙锌离子已不多；如极性相反，则电压主要加在另一侧的耗尽层上，而这侧有大量的填隙锌离子，所以阻性电流大。

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压敏电阻的物理特性：

ＺｎＯ　压敏电阻的非线性是一种晶粒边界现象，即在相 邻晶粒耗尽层中存在多数电荷载流子（电子）的势垒。认 为肖特基势垒像　ＺｎＯ　微结构中晶粒边界势垒。晶粒边界 上的负表面电荷（电子捕获）是由晶界面两侧晶粒的耗尽 层的正电荷来补偿的。热电子发射和隧道效应是主要的传 输机制。 近发展的压敏电阻势垒的晶粒边界缺陷模型在改进 稳电压应力下，压敏电阻的稳定性上取得了很大进展。

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